高功率GaAs/A1GaAs單一量子井雷射端面之高反射及抗反射鍍膜

Abstract

在這篇論文裡，我們介紹高功率雷射端面鍍膜上的研究。藉由在半導體雷射的端面上 鍍一層或多層介電質薄膜以改變反射率；我們可以改善半導體雷射的特性，增加輸出 功率。採用單層四分之一波長厚的二氧化矽當抗反射膜可以將反射率由原來31％改變 為5％。而使用三對四分之一波長厚的二氧化矽及二氧化鈦可將反射率提高為92％。 雷射端面經過高反射及抗反射鍍膜，抗反射面輸出功率幾乎為未鍍膜前的兩倍，當輸 入電流2.5安培時，輸出功率可達2瓦、臨界電流由235毫安增加為260毫安、單面外部 量子效益（external quantum efficiency）由0.37增加為0.72、電光轉換效益（ wall plug efficiency）由0.225增加為0.37。