以1,2-二甲基四氯二矽烷成長碳化矽薄膜

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	邱光宗	en_US
dc.contributor.author	Qiu, Guang-Zong	en_US
dc.contributor.author	裘性天	en_US
dc.contributor.author	Qiu, Xing-Tian	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:16:35Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:16:35Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844500033	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/61331	-
dc.description.abstract	本實驗是以MeCl2SiSiCl2Me為前驅物，主要以 Si(111)矽晶片為基材，沉積溫度在 923K至1473K 之間，經低壓化學氣相沉積法來成長薄膜。當沉積溫度在1173∼1373K 之間，成長速率，結晶性及FT-IR 之吸收強度在該溫度範圍中均有下降的情形發生。經研究後，發現這種現象的產生是由於此前驅物在高溫及低溫時成長碳化矽薄膜為不同之機制所造成。而根據分析之結果顯示，此前驅物在1223K 時即成長為接近單晶型態之碳化矽薄膜。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	應用化學	zh_TW
dc.subject	化學	zh_TW
dc.subject	矽晶片	zh_TW
dc.subject	高溫	zh_TW
dc.subject	低溫	zh_TW
dc.subject	APPLIED-CHEMISTRY	en_US
dc.subject	CHEMISTRY	en_US
dc.title	以1,2-二甲基四氯二矽烷成長碳化矽薄膜	zh_TW
dc.title	Growth of SiC Thin Films from 1,2-dimethyltetrachlorosilane	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	應用化學系碩博士班	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文