標題: 低介電常數材料與金屬(鎢、鈦與氮化鈦)化學氣相沈積在積體電路上的應用與研究
Studies of Low Dielectric Constant Materials and Metal(W、Ti and TiN) CVD for ULSI Application
作者: 梅玉貞
Mei, Yu-Jane
張俊彥
Chun-Yen Chang
電子研究所
關鍵字: 低介電常數;化學氣相沈積;鎢;氮化鈦;摻氟二氧化矽;阻障層;low dielectric constant;chemical vapor deposition;tungsten;titanium nitride;fluorine doped oxide;barrier layer
公開日期: 1997
摘要: 本論文研究未來元件製造的內連線金屬化製程。在超大型積體電路中, 內連線的RC時間延遲對元件速度的影響變的比閘極RC延遲來的大,所以許 多半導體製造業者預測內連線金屬化製程所用之材料,朝向低介電常數材 料及抗電子遷移能力佳的金屬材料發展。在低介電常數材料方面,本論文 選擇兩種具有潛力的材料:摻氟二氧化矽及HSQ(hydrogen silsesquioxane)。在金屬材料方面則研究化學氣相沈積鎢及氮化鈦。摻 氟二氧化矽已知可降低二氧化矽的介電常數。然而摻氟二氧化矽暴露在空 氣中容易吸水,使得介電常數又再度上升。我們以含氮氣體N2O、NH3電漿 處理摻氟二氧化矽
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT860428015
http://hdl.handle.net/11536/62995
Appears in Collections:Thesis