標題: | 研磨粉體對二氧化矽薄膜之化學機械研磨特性研究 Characterization of Abrasives for Chemical-Mechanical Polishing of Silicon Dioxide Thin Films |
作者: | 黃家雯 Huang, Jia-Wen 馮明憲 蔡明時 Feng, Ming-Xian Cai-Ming-Shi 材料科學與工程學系 |
關鍵字: | 研磨粉體;二氧化矽薄膜;化學機械研磨特性;Chemical-Mechanical Polishing;Silicon Dioxide Thin Films |
公開日期: | 1997 |
摘要: | 在本研究中,我們發現有稜角的研磨粉體會比圓滑狀的研磨粉體有較高的磨除率。 由磨耗的觀點來看,粉體單位晶格內原子的堆疊越緊密,其硬度值愈大,而致使有 較高的磨除率。此外,磨除率與粉體表面積亦有密切的關係,當粉體的表面積愈大 ,其所擁有的化學活性基亦愈多,則其晶圓作用的範圍亦愈大,此可解釋其研磨速 率較快,同時易造成粉體彼此間容易集結在一起而導致較寬化的粒度分佈。 研磨漿料所虛的溶液pH值亦對研磨效率有顯著的影響,研磨粉體與晶圓所帶有的表 面電位亦會影響研磨結果。當研磨粉體與晶圓表面帶有相反電性而彼此之間呈現引 力關係時,會較彼此帶同電性而呈現斥力關係時,有較大的研磨速率。研磨粉體與 晶圓表面接近的程度與電雙層厚度有關,研磨漿料中所含的離子強度愈強,其所造 成的電雙層厚度會愈薄,因而粉體較易作用在晶圓表面,而有較高的磨除率。最後 我們提出了一個模擬晶圓表面與研磨粉體間,於不同pH值環境下相互靜電作用力大 小的模型,研磨速率與表面靜電作用力相吻合並驗證於ZrO2,AlO3及CeO2粉體研磨 二氧化矽薄膜的實驗上。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT863159003 http://hdl.handle.net/11536/63375 |
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