標題: | 無電解質之三氧化鎢與氧化銥二極體元件在低溫環境下之電性研究 The Research of electric characteristic Based on WO3 and IrO2 Diode without Electrolyte in Low Temperature State |
作者: | 李功允 Gung Yun Lee 趙書琦 電子物理系所 |
關鍵字: | 氧化銥;IrO2 |
公開日期: | 2004 |
摘要: | 本論文的主要內容介紹,是以三氧化鎢/氧化銥薄膜為基礎的二極體元件在低溫環境下之工作研究探討。首先,我們在白金電極上先後鍍上三氧化鎢與氧化銥薄膜,並讓兩薄膜中間部分面積重疊,使得薄膜重疊的界面形成二極體架構。而這兩薄膜之靶材濺鍍都是使用剝落製程技術,最後才以環氧樹脂封裝完成。本元件的工作機制,是由於三氧化鎢與氧化銥薄膜都是採雙載子注入方式,而我們濺鍍出來的氧化銥薄膜夾層內含有氫離子,而當氫離子與電子進入薄膜內時,薄膜會產生可逆式的氧化還原反應。而我們將元件放入低溫系統內,則會發現Vonset會隨溫度的降低而增大;Vzener其值會隨溫度的降低而變小。而且我們可把此元件視為一良好的溫度感測器來使用,因元件含有以下優點:在-90℃~120℃間有良好的工作重複性、體積小、製程便宜、薄膜穩定性佳、微型化。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009221505 http://hdl.handle.net/11536/75691 |
Appears in Collections: | Thesis |
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