完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 林賢達 | en_US |
dc.contributor.author | 趙天生 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:44:36Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:44:36Z | - |
dc.date.issued | 2004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009221533 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/75979 | - |
dc.description.abstract | 在本篇論文中,我們製作了一種具有奈米線通道的新穎多晶矽薄膜電晶體,並測量了它的特性。一般來說,製作奈米線結構需要昂貴的設備或運用複雜的過程。我們提出一種簡單快速製備奈米線之方法。利用一般製作氧化層邊襯(oxide spacer)之方法概念,以底閘極薄膜電晶體結構來形成多晶矽邊襯奈米線通道(poly-Si sidewall spacer nano-wire channel)。可藉由調整閘極高度、非晶矽沉積厚度和蝕刻時間,來控制此邊襯之直徑至30nm以下。此製作程序與傳統製程設備相容,且不需要其它困難的技術。元件完成總共只需要四道光罩,是低成本的製程。 在研究中,我們測量了不同條件的奈米線通道之元件特性。為了更進一歩改善元件特性,我們對元件分別做了N2/H2退火及NH3電漿處理。我們發現NH3電漿處理比N2/H2退火能更有效改善元件特性,例如:鈍化缺陷、降低漏電流、提升載子遷移率、增強開啟電流等。NH3電漿處理對於元件輸出特性也有所改善,在高汲極偏壓下能有效抑制kink effect。在文中,我們也分析並討論了有關漏電流的造成因素,並提出了兩個造成漏電流的機制和其他影響漏電流的可能原因。 在未來,為了改善原件特性,有效減少多晶矽薄膜的缺陷是很重要的。而使用金屬誘發側向結晶法和準分子雷射結晶法,可以達到增大多晶矽結晶的目的,相信可以大大提升元件特性。只要元件特性夠好,此元件技術可以應用在各種先進應用方面。 | zh_TW |
dc.language.iso | en_US | en_US |
dc.subject | 薄膜電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 奈米 | zh_TW |
dc.subject | TFT | en_US |
dc.subject | nano | en_US |
dc.title | 一種具有奈米線通道的新穎多晶矽薄膜電晶體製作與特性之研究 | zh_TW |
dc.title | Fabrication and Characterization of a Novel Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor with Nanowire Channels | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |