標題: 含鍺之新穎熱電材料的合成與分析
Synthesis and Characterization of new Thermoelectric Materials Including Germanium Element
作者: 游靜宜
李積琛
應用化學系碩博士班
關鍵字: 鍺;熱電材料;Ge;Thermoelectrics;LMTO
公開日期: 2004
摘要: 本篇論文合成三種新的化合物。GeSb2Se3為第一個Ge-Sb-Se三元系統中,具有結晶性的化合物,用Ge、Sb和Se元素在550℃下合成新化合物GeSb2Se3。此晶體之空間群Aba2,晶胞常數為a = 27.236(2) Å、b = 11.072(7) Å、c = 4.111(2) Å,V = 1239.8(1) Å3,Z = 8,晶系屬於orthohombic,R1 /wR2 = 0.0450/0.0869,GOF=1.174。GeSb2Se3的結構由 兩種區塊所組成。 區塊類似Sb2Se3的結構, 為Sb-Sb Z字形的鏈狀鍵結再加上Se的分支。理論計算所得之DOS與BAND圖,顯示此化合物具有狹窄能隙的半導體,且為間接能隙。熱電性質方面,在室溫300K時的電導係數數值約在28.82Ω-1cm-1,Seebeck數值約在-395μV/K,是屬於N型半導體。室溫下的 power factor為4.5μW/cmK2。
另一個含鍺和銻的新四元化合物是Sr3GeSb2Se8和其衍生物Sr3SnSb2S8。Sr3GeSb2Se8之空間群Pnma,晶胞常數為a = 12.633(4) Å、b = 4.3006(1) Å、c =28.693(7) Å,V = 1558.8(8) Å3,Z =4,晶系屬於orthohombic,R1 /wR2 = 0.0515/0.1235,GOF=1.077。Sr3SnSb2S8之空間群Pnma,晶胞常數為a =12.037(2) Å、b = 27.785(5) Å、c = 4.2026(8) Å,V = 1405.5(5) Å3,Z =4,晶系屬於orthohombic,R1 /wR2 = 0.0561/0.1186,GOF=1.011。Sr3GeSb2Se8是一個嶄新的結構,同時具有四面體的 (M=Sn,Ge)和共邊雙四角錐的 ,並且被鍶元素所區隔開來。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009225523
http://hdl.handle.net/11536/76812
顯示於類別:畢業論文


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