標題: | 含銻之新穎熱電材料的合成與分析 Synthesis and Characterization of New Thermoelectric Materials Including Antimony Element |
作者: | 張芳卿 李積琛 應用化學系碩博士班 |
關鍵字: | 熱電材料,銻;thermoelectric materials, Antimony |
公開日期: | 2004 |
摘要: | 於本論文的研究中,TMPbSb3Se6 (TM=Cu, Ag)的四元化合物可用元素態粉末合成,其結構與天然的硫磺鹽類礦物AgPbSb3S6相同。CuPbSb3Se6與AgPbSb3Se6的晶胞常數分別為:(a) CuPbSb3Se6: a = 4.1604(17) Å,b = 13.846(7) Å,c = 19.972(11) Å,V = 1150.5(10) Å3,空間群為Cmc21的斜方晶系結構;(b) AgPbSb3Se6:a = 4.130(2) Å,b = 13.730(8) Å,c = 20.283(12) Å,V = 1150.0(12) Å3,空間群為P212121的斜方晶系結構;且CuPbSb3Se6與AgPbSb3S6均具有超結構型。AgPbSb3S6與AgPbSb3Se6在導電度的量測上,電阻值均會隨著溫度的上升而下降,導電度則是隨著溫度上升而緩慢的增加,由此可知AgPbSb3S6與AgPbSb3Se6均為半導體。 由SnSb2Se4系統所延伸的Sn(GaxSb1-x)2Se4系統中,成功地合成了一個新的四元六A族化合物,Sn3.042Ga0.625Sb1.333Se6,其晶體結構與Parise J. B.於1984年發表的Sn3Sb2S6結構相同,晶胞常數為斜方晶系a = 23.839(8) Å ,b = 36.077(13) Å,c = 4.1002(14) Å,V=3526(2) Å3,R1 / wR2/GOF= 0.0622 /0.1180/0.989,空間群為Pna21。本章節除了探討Ga在Sn3.042Ga0.625Sb1.333Se6合成過程中的重要性,及藉由理論模型的計算去討論Ga的摻雜在能帶上的影響之外,亦利用EXAFS X光吸收光譜與Seebeck係數的測量證明Ga的確成功摻雜於Sn3Sb2Se6的結構中,形成Sn3.042Ga0.625Sb1.333Se6的六A族化合物。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009225565 http://hdl.handle.net/11536/76854 |
顯示於類別: | 畢業論文 |
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