以散條增進焦深與改善禁止間距之模擬及全條減光散條之製備

Abstract

微影未來趨勢為使用濕浸式、偏振光與偏軸發光，但禁止間距將更嚴重。 本論文重點有二，第一為以模擬探討散條增進焦深與改善禁止間距之效果，第二為適用之全條減光散條材料製備。 電腦模擬，使用美國KLA-Tencor之微影模擬軟體Prolith v. 9.0，線寬為90奈米，光源使用193奈米波長、數值孔徑為0.85、門檻光強為0.3、照射寬容度為6 %、阻劑厚度為270奈米、焦深設定300奈米為可接受值，調整各項製程參數進行模擬計算。 散條可分全條遮光、全條減光、陣列減光三種，可修正光學鄰近效應，以增進解像度與焦深，此三種散條各有其利弊。 模擬發現，以四扇面偏軸發光、濕浸式、Y-偏振光和減光型相移圖罩組合對焦深效果最佳。最適化聚焦面約在阻劑厚度0.66-0.75之間，即阻劑半高以上。 全條減光散條材料首先以史密斯教授(B. W. Smith)網站篩選材料性質，再實際製備，量測其光學性質，計算值與實作之間的差異在±16 %之內。