标题: 金属氧化物修饰层于有机薄膜电晶体应用之研究
Metal Oxides as the Buffer Layers for Organic Thin-Film Transistors
作者: 陈东贤
陈方中
显示科技研究所
关键字: 有机薄膜电晶体;氧化金属;接触电阻;修饰层;pentacene;metal oxide
公开日期: 2005
摘要: 本论文探讨以五环素(pentacene)为主动层的有机薄膜电晶体中,有机层与源极/汲极的接触效应,并且以提升元件效能为目的,研究电极修饰层对元件的效果。首先我们以几种不同导电材料作为有机薄膜电晶体的源极与汲极,并制作元件研究电极功函数的差异对电性结果的影响。之后再于原电极与五环素主动层之间加入过渡金属氧化物作为修饰层,和未经修饰的元件作比较。我们得到了在加入过渡金属氧化物后的元件就算搭配低功函数的金属也能得到高效能。这是由于加入的氧化金属于pentacene表面形成保护层,避免了金属电极于沉积时对pentacene直接的造成破坏。此外氧化金属在热蒸镀期间,也会形成不同氧化数的氧化金属形成掺杂,使得氧化金属层有如掺杂的半导体,因此载子自金属注入氧化金属层的效果也随着掺杂浓度而改变。
我们调变不同厚度的过渡金属氧化物,并且得到在该制程条件下使元件最佳化的厚度。由于接面电阻与通道长度的改变无关,故可以利用线性区电流电压和通道长度的关系,来萃取出接面电阻的部份。并且证明了加入氧化金属的元件得到效能提升是由于接触电阻在经过修饰后有效的下降了。最后我们量测元件照光后特性的改变,以及持续偏压下得到元件电性的衰减来探讨有机薄膜电晶体可能受到环境所影响的程度。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009315519
http://hdl.handle.net/11536/78605
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