標題: ZnSnO3薄膜光電性質研究
The Study on the Electro-optical Properties of ZnSnO3 Thin Films
作者: 游家鑑
Chia-Chien Yu
莊振益
Jenh-Yih Juang
電子物理系所
關鍵字: 氧化鋅錫;光電;薄膜;ZnSnO3;Electro-Optical;Thin Films
公開日期: 2005
摘要: 本論文研究的是ZnSnO3透明半導體薄膜的光電性質且以脈衝雷射蒸鍍成功地在Sapphire(0001)鍍出ZnSnO3。並分別改變鍍膜氧壓和溫度,嘗試作出電阻率低且高透光率的薄膜。由XRD圖發現,隨著溫度提高,繞射峰將往大角度移動,顯示溫度提高將使晶格常數變小。將鍍膜溫度提高至600℃以上改善了薄膜的電阻率且電阻率大約在10-1 Ω-㎝且最大載子遷移率為19㎝2V-1s-1。當鍍膜溫度在500℃以上,在可見光區範圍內,透光率將可達85%以上。由穿透頻譜不僅可以知道可見光區的高透光率且可知能隙值大於4.1eV。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009321540
http://hdl.handle.net/11536/78982
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