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dc.contributor.author鄒耀德en_US
dc.contributor.author趙家佐en_US
dc.contributor.author林昇甫en_US
dc.contributor.authorChia-Tso Chaoen_US
dc.contributor.authorSheng-Fuu Linen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T03:00:59Z-
dc.date.available2014-12-12T03:00:59Z-
dc.date.issued2008en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009367550en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/80096-
dc.description.abstractNROM利用SONOS記憶體之結構,作為唯讀記憶體之應用,其擁有高儲存密度、可短時間出貨、一次可程式化之優點,為目前業界所最受歡迎的唯讀記憶體之一。業界現有之NROM測試流程,皆以實體缺陷(physical level defect)單元作為能否修補成功之依據。然而某些實體缺陷單元,在寫入資料後,不一定會產生錯誤,以至現有之測試流程會將某些可修補成功之晶粒歸類為缺陷晶粒,進而產生過度測試之現象。本論文針對NROM記憶體,提出一種新的測試流程,將修補程序延後至資料寫入後執行,以增加修補成功之機率,並提升良率。然而在晶圓階段測試時,無法得知寫入之資料,以藉此判斷是否要封裝某一晶粒,須利用實體缺陷單元去預測資料寫入後的真實缺陷單元,以判斷修補成功率。本論文針對此預測動作,推導一有效率且準確之數學機率公式,以確保所封裝之NROM晶粒能成功寫入資料之機率,達到控制封裝成本之目的。本論文透過業界實際之NROM記憶體,以及電腦模擬作為實驗,顯示所提出之新測試流程可有效地改進現有流程之良率,並驗證所提出之數學估計公式,能準確地預測資料寫入後可修補成功之機率。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subjectNROM測試zh_TW
dc.subjectNROM測試流程zh_TW
dc.subjectNROM Testingen_US
dc.subjectNROM Testing Flowen_US
dc.titleNROM 記憶體之新測試流程zh_TW
dc.titleA New Proposed Test Flow For NROMen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電機學院電機與控制學程zh_TW
顯示於類別:畢業論文