標題: 利用金屬黏合及劈裂技術完成氮化鎵雷射二極體共振腔
Studying of GaN Edge Laser Emitting Diode Cavity by Metal Bonding and Cleaving Technology
作者: 葉淑梅
Shu-Mei, Yeh
李威儀
Wee-Yi Lee
理學院應用科技學程
關鍵字: 氮化鎵;劈裂;金屬黏合;GaN;Cleave;metal bonding
公開日期: 2006
摘要: 利用金屬黏合及雷射剝離系統等製程的整合,將長於藍寶石基板的雷射結構轉移至砷化鎵或矽基板,藉由其立方晶格之基板特性,便於將雷射結構劈裂,形成雷射共振腔之劈裂鏡面。由於金屬黏合的品質會影響劈裂時的結果,故利用金屬,以及實驗黏合時調變其黏合參數之設定,以得到較佳的效果。 經由掃描式電子顯微鏡及原子力顯微鏡之量測數據,證明我們藉由數站製程之整合流程所得到之劈裂面, 其粗糙程度是小到足以作為雷射之共振腔之鏡面。
We integrated the metal bonding and laser lift off process, then transferred the GaN LD structure to the new substrate.By the new cubic substrate, we can cleave the LD structure into a rectangle easier. It is usful to get the mirror facet of laser diode. After we measue by AFM, the data of cleaved facet roughness is qualified to be a reflectivty mirror of lase diode.
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009377502
http://hdl.handle.net/11536/80318
顯示於類別:畢業論文


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