新穎元件結構之衰退機制分析

Abstract

過去這些年來，多晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFTs)在主動式液晶顯示器(AMLCD)和主動式有機電激發光二極體(AMOLED)的週邊電路整合應用上皆備受矚目。相較傳統的非晶矽薄膜電晶體，低溫多晶矽擁有較優的電子遷移率。由於整體製程溫度低於6000 C，低溫多晶矽可以廣泛應用在便宜的玻璃基板上。綜合上述的優點，使得低溫多晶矽被用於整合畫素電路及週邊驅動電路上。如果可以進一步提昇低溫多晶矽的電流驅動能力，這個技術將會是實現系統化面板(System On Panel)的關鍵。然而，應用在驅動電路上的電晶體是操作在高頻率交流電壓的環境下。因此，除了直流電壓操作的衰退機制外，在交流電壓操作下所產生的衰退機制也是值得去關注跟探討的。 在本篇論文中，我們提出了一個新穎的元件結構，用來觀測元件的衰退機制。這個新穎的元件結構主要是在傳統結構通道的垂直方向額外做了三副的源極/汲極。藉由對此新穎元件結構施加不同的交流/直流應力，我們便可進一步去分析在通道上不同區域的衰退機制。