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dc.contributor.author李允斌en_US
dc.contributor.authorLee Yun Binen_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorWu Chung-Yuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T03:02:01Z-
dc.date.available2014-12-12T03:02:01Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009395536en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/80370-
dc.description.abstract當積分電容是由一整行共用時,我們必須減小積分端點的總寄生電容,對於減少積分時間與提昇電路操作速度。一個新的像素架構對於減小積分端點的寄生電容是這個論文中被提出,且這一個晶片是首次應用雙重三角取樣(Double Delta Sampling)電路在砷化銦鎵感測器陣列,此電路可用來減小固定樣式雜訊(fixed pattern noise),時脈回饋雜訊和通道電荷注入。有著新的像素架構和雙重三角取樣技術的的32 x 32讀出電路晶片是透過國家晶片系統設計中心委託台灣積體電路製造股份有限公司以0.35微米互補式金氧半導體的製程製造。晶片的面積是2500 μm x 2461 μm和操作在3.3 V電源供應時產生的18 mW功率消耗。整個 32 x 32 電流讀出電路已經被完整地設計、製造與量測完成。這個實驗性的晶片已經成功地證明了新提出的像素架構可以應用在共用積分電容的紅外線偵測器影像系統。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject影像zh_TW
dc.subject雙重三角取樣zh_TW
dc.subject紅外線zh_TW
dc.subject像素zh_TW
dc.subjectimageen_US
dc.subjectDouble Delta Samplingen_US
dc.subjectinfrareden_US
dc.subjectpixelen_US
dc.title新型紅外線偵測器陣列之互補式金氧半電流讀出積體電路設計與分析及影像應用zh_TW
dc.titleTHE ANALYSIS AND DESIGN OF NEW CMOS CURRENT READOUT INTEGRATED CIRCUIT FOR INFRARED DETECTOR ARRAY AND IMAGE APPLICATIONSen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電機學院IC設計產業專班zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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