標題: 使用ㄧ次曝光和二元光罩來產生擁有良好聚焦 深度的細線之模擬與研究
The Study and Simulation of the Line Pattern having large Depth of Focus by using only Single Exposure and Binary Mask
作者: 曹人傑
Jen-Chieh Tsao
羅正忠
邱碧秀
Jen-Chung Lou
Bi-shiou Chiou
電子研究所
關鍵字: 一次曝光;single expoaure
公開日期: 2006
摘要: 我們發現當一條暗線獨自被曝光時會有較差的結果,可是當這條暗線是被兩條細的亮線所包圍時,經由適當的曝光條件,我們能夠得到一條極佳的暗線,而這條暗線的寬度能小於100nm,此外,藉由這個曝光方式,我們只需要使用二元光罩即可得到擁有如此良好寬度的暗線。 不過使用上述的方式所得到的暗線,在相鄰的兩條細暗線間,會得到一條不想得到的粗暗線,因此,我們必須另外增加一道曝光過程將此不希望出現的粗暗線給清除掉,所以總共需要兩次曝光,而爲了能夠減少曝光的次數,我們將原本會產生粗暗線的部份改成部分透光但像位不變的光罩,而藉由這樣的改變我們能提升此處的光強,所以使得原本不曝光的部分變成曝光,因此只需ㄧ次曝光即可得到想要的細線。 最後,我們使用ㄧ群適當週期排列的細線,此細線的寬度小於曝光的極限因而不會被顯現出來,接著再適度調整週期,藉由暗線和亮線所佔面積的不同來得到想要的穿透量,再將這群週期排列的暗線取代先前所提不曝光的區域,藉此得到只需使用ㄧ次曝光和二元光罩即可得到良好細線的方法。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009411558
http://hdl.handle.net/11536/80472
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