添加劑對電鍍銅填孔力之影響及利用無電鍍銅製作奈米銅層

Abstract

以diamino-triazole、amino-mercapto-thiazol、以及2,5-dimmercapto-1,3,4-thiadiazole三者作為微尺寸銅電鍍的抑制劑，並在具備120nm溝渠的矽晶圓基板上電鍍銅並且觀察添加劑對填孔能力的影響，同時探討銅層的平整度和導電度。其中以diamino-triazole表現最好，可以達成IBM理論中所謂“superfilling”的效果。 利用無電鍍的方法在高深寬比的陽極氧化鋁的孔洞陣列中生長厚度為20nm左右的銅層以期長成連續的銅管，從表面形貌、成分分析以及導電度的量測來了解奈米尺度下銅層的形貌。