Sn-Cu介金屬化合物的電遷移

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳誠風	en_US
dc.contributor.author	Cheng-Feng Chen	en_US
dc.contributor.author	陳智	en_US
dc.contributor.author	Chih Chen	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T03:06:01Z	-
dc.date.available	2014-12-12T03:06:01Z	-
dc.date.issued	2006	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418533	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/81179	-
dc.description.abstract	覆晶封裝是目前在高電流密度IC元件上的重要封裝之一。然而隨著消費電子產品微小化與可攜帶性的趨勢，銲錫接點的尺寸勢必隨之縮小，因此電遷移(electromigration)在可靠度的議題上將扮演重要的角色。然而隨著銲錫接點的縮小，IMC在bump中所佔的比例將隨之上升，且由於IMC有較好的抗電遷移性質，因此IMC的存在將對bump的lifetime有重要的影響。在本篇論文中，我們將利用FIB來製備具有不同stripe長度的Sn-Cu介金屬化合Blech structure，並且在225、250℃，真空度2.3×10－3torr的環境下施以~104 A/cm2以上的電流密度，藉由觀察每條stripe是否有電遷移破壞，來求出Sn-Cu介金屬化合的critical product。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	電遷移	zh_TW
dc.subject	Cu6SN5	zh_TW
dc.subject	介金屬化合物	zh_TW
dc.subject	electromigration	en_US
dc.subject	Cu6SN5	en_US
dc.subject	IMC	en_US
dc.title	Sn-Cu介金屬化合物的電遷移	zh_TW
dc.title	Electromigration of Sn-Cu intermetallic compounds	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	材料科學與工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

文件中的檔案：

853301.pdf

853302.pdf

853303.pdf

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。