Ⅲ族氮化半導體的表面激發參數

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	桂正楣	en_US
dc.contributor.author	KWEI CHENG-MAY	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:28:43Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:28:43Z	-
dc.date.issued	2007	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC96-2221-E009-214	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/88555	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1465107&docId=262656	en_US
dc.description.abstract	當快速電子穿越一個固體表面時會產生表面激發。在射入固體之前或射出固體之後，電子在真空中移動所產生激發的總機率通常用表面激發參數來詮釋。Ⅲ族氮化物在雷射及發光二極體的應用上具有極大的重要性。在本計劃中，我們將計算200-2000 eV 能量之電子，以各種不同穿越角度穿越Ⅲ族氮化半導體表面的表面激發參數。這些參數將根據電磁介電理論加以計算，並使用與光學資料匹配且滿足總和律所建立的延伸式德魯特介電函式。藉由分析表面激發參數和電子能量，以及穿越角度的關係，我們將更進一步地找出匹配表面激發參數的簡單通式。	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	Ⅲ族氮化半導體的表面激發參數	zh_TW
dc.title	Surface Excitation Parameter for III Nitride Semiconductors	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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