砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(III)

標題:	砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(III) Effects of Strain Relaxation and Material Intermixing on the Production of Electrically Active Defects in Inas Self-Assembled Quamtum Dots(III)
作者:	陳振芳 CHEN JENN-FANG 國立交通大學電子物理學系(所)
公開日期:	2007
官方說明文件#:	NSC96-2112-M009-004
URI:	http://hdl.handle.net/11536/88660 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1417984&docId=252873
顯示於類別：	研究計畫

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