成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---總計畫

Abstract

本計畫係一跨領域、跨校之整合性研究計畫，本整合計畫整合了寬能隙光電半導體材料 之研發、奈米材料之研製、奈米微結構及表面電漿等製程技術、光電新穎光子晶體元件 結構特性模擬計算與製作、光偵測元件設計與製造、以及光致氧化製作新穎元件技術等 各領域技術，利用非極性基板與新穎製程設計與研發寬能隙三五族高量子效率之光電材 料、結構與發光及偵測元件，如：高品質之發光異質結構（Heterostrcture）、非極性 寬能隙材料及元件之成長與特性分析、非極性高效率寬能隙材料發光元件或雷射結構之 設計、成長與製作，以及具有光學微共振腔結構之寬能隙發光元件，低維結構之製作等。 本總計畫提供各子計畫合作平臺並控制計畫進度與掌握研究方向與進展，以期整合計畫 能順利達成預期成果，及提昇國內原創水準並為國內培養光電研發人才，並提昇我國之 光電研究在國際學術界水準。