| 標題: | 超高真空化學氣相沉積低溫新穎複晶矽薄膜電晶體之製作與可靠度的研究---總計畫(II) Study of UHVCVD Deposited Poly-Si TFTs with Low Temperature Gate Dielectric and Novel Structure (II) |
| 作者: | 張俊彥 CHANG CHUN-YEN 交通大學電機與控制工程研究所 |
| 關鍵字: | 超高真空化學氣相沈積法;薄膜電晶體;複晶矽;UHVIVD;Thin film transistor (TFT);Polysilicon |
| 公開日期: | 2000 |
| 官方說明文件#: | NSC89-2213-E009-131 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/89077 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542203&docId=99611 |
| Appears in Collections: | Research Plans |
