適用於矽微波/毫米波元件晶圓級散射參數去嵌化技術之發展

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳霖？	en_US
dc.contributor.author	WU LIN-KUN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:24Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:24Z	-
dc.date.issued	2006	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC95-2221-E009-039	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/89246	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1301784&docId=240119	en_US
dc.description.abstract	本計畫預計以一年的時間，發展適用於矽微波/毫米波元件晶圓級散射參數之去嵌化技術。我們將適當地設計晶圓上的去嵌化結構(如open、short、thru 等標準結構)來扣除環繞於元件週遭的外部寄生元件。經由合併運用傳輸線理論、串級結構概念與接地屏蔽技術，進而對待測元件測試結構的針墊與內連線進行由射頻至毫米波頻段的寬頻特性分析。隨著無線通訊產品操作頻率持續提昇的同時，更加突顯出矽微波/毫米波元件高頻特性分析之重要性，本應用性研究計畫之執行將可提高高頻量測與元件模型之準確度。如此一來便可減少研發成本與產品上市時程，對國內通訊技術與經濟發展作出直接貢獻。	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	適用於矽微波/毫米波元件晶圓級散射參數去嵌化技術之發展	zh_TW
dc.title	Development of Wafer-Level Scattering-Parameter De-Embedding Technique for Silicon Microwave/Millimeter-Wave Devices	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電信工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫