193奈米高透射率嵌附層之研製與作為濕浸式微影光學鄰近效應修正用散條之性質探討

Abstract

解像度增進技術一般可分為偏軸發光、相移圖罩與表層成像三種。偏軸發光已屬微影機 台基本配備；表層成像製程複雜，業界接受度不高；相移圖罩則仍有廣大之研究空間。193 奈米濕浸式微影，搭配橫電偏振光光源，為目前顯學，將主導全球未來數年光學微影之研發。 高透射率嵌附層材料除可應用於嵌附式減光型相移圖罩外，亦可應用為光學鄰近效應修 正用之散條，因此，其重要性無庸置疑。嵌附層正規透射率T%~6%，高透射率通常定義 T%~15-35。 本計畫分二部份，一為193 奈米微影高透射率嵌附層材料之研製，此為延續過去數年之 研究議題；二為模擬探討應用193 奈米濕浸式微影光學鄰近效應修正用之散條之性質。第二 部份構想似為申請人首創，因尚未見文獻報導。第二部份重點在探討散條之透射率、相對相 位差對線幅、焦深、禁止間距等之影響，尋求散條之寬度、透射率、相對相位差之最適化參 數。初期探討以單一散條為主，如有餘力，亦擬探討二散條與三散條。 本計畫為製備65至45奈米線幅技術節點之前瞻性研究，並兼顧學術性、應用性與研究生 培訓。