銅基板之切割-運用在高功率發光二極體上的銅基板切割

Abstract

藉著前一系列的計畫，銅基材上的高功率發光二極體已經被我們製作出來，且發表在 APL 期刊，引起國際間之報導(附件一)。研究中利用氧化銦錫（ITO）當作擴散阻礙層 將磷化鋁銦鎵發光二極體晶圓接合在銅基材上。被接合在銅基材上的發光二極體元 件，能夠在更高的順向注入電流下操作。而此發光二極體的發光強度比一般砷化鎵基 材發光二極體高出約三倍之多。這顯著改善的原因是因為金屬銅基材具有較高的熱傳 導率。可惜的是，銅金屬是延展性佳的材料，因此，在整個元件的製做過程中，易造 成發光二極體元件毀壞（尤其是在切割晶粒時），良率不高。為了改善這問題，在這計 畫，我們將藉著不同物質與銅反應，將銅基板改質以利後續的銅切割/分離。其中包括 產生1) 較硬的介金屬化合物（intermetallic compound）,以利刀具（dicing saw）的切割。 2)特定的介金屬化合物（intermetallic compound），其與銅的對特定的蝕刻液,有不同的 蝕刻速度。再藉著蝕刻就可將之分離。所用的發光二極體將包括現今較熱門的氮化鎵 （GaN）系列與砷化鎵（GaAs）系列。這些方法將可提升製造高功率發光二極體之良 率。