標題: 張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(II)
Key Issues of Channel Engineering and Reliability for Strained-Si/SiGe Nanometer Gate Length CMOS Devices(II)
作者: 莊紹勳
Chung Steve S
交通大學電子工程系
公開日期: 2006
官方說明文件#: NSC95-2221-E009-273
URI: http://hdl.handle.net/11536/89823
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309500&docId=241987
顯示於類別:研究計畫