採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	莊紹勳	en_US
dc.contributor.author	Chung Steve S	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:57Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:57Z	-
dc.date.issued	2006	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC95-2221-E009-280	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/89828	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309531&docId=241994	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III)	zh_TW
dc.title	Operation Schemes and Advanced ONO Gate Stacks for High Performance and Reliable SONOS Flash Memory(III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫