| 标题: | 矽氧烷与亚醯胺改质之双丙烯双酚、含矽氧烷双马来亚醯胺与氰酸酯材料交联行为与物性研究及其在高密度印刷电路板之应用 Research on Curing Behaviors and Properties of Materials Based on Siloxane- and Imide- Modified Bisphenol、Siloxane-Containing Maleimide and Cyanate Ester for Application in High Density Print Circuit Board |
| 作者: | 林木狮 LIN MU-SHIH 交通大学应用化学系 |
| 关键字: | 覆晶;印刷电路板;介电常数;均质性;柔软性;强.性;钻孔性;抗焊性 |
| 公开日期: | 2006 |
| 摘要: | 本计划是2 年连续性计划。 第1 年工作如下： (1)合成Scheme I 所示化合物I、II、III、IV、V、VI、VII，并分别以1H NMR、 13C NMR、FTIR 鉴定结构式。 (2)调配及制程研究。将上述化合物以当量比(a) III/IV/VII1=1/1/1 及(b) VI/IV/VII=1/1/1 充分混掺，以刮刀制成簿片硬化后，续做下述探讨： (3)动态DSC，以选择最佳硬化.度，顺便探讨交联动力学，以比较上述2 种材料 的加工特性。 (4)动态机械性能(DMA)以此较材料之柔软度及强.性，并评估材料之相容性 (Compatibility)。 (5)热分析(DSC、TGA、TMA)测试材料之柔软度、热安定性、热膨胀系数。 (6)机械性质(Tensile-elongation、impact resistance)以测试材料之..性及 抗冲击性能。 (7)均质.(homogeneity)以Carbon-mapping SEM, Oxygen-mapping SEM 及 Silicone-mapping SEM 观测材料之均质性。 (8)材料之成膜性 (9)材料之介电常数。 (10) 材料之抗酸、抗硷性 (11) 材料之黏.性 (12) 钻孔牲 (13) 抗焊性 (14)综合上述的特性探讨，选择最佳化的配方，并加入适量添加特，制作覆晶高 密度的印刷电路板。 第2 年工作如下： 除续继改良第1 年工作外，合成含双键的改质POSS(VIII)，并调制 (c)III/iV/VII/I=1/1/1 +少量含双键的改质POSS，及(d)VI/IV/VII=1/1/1 +少量 含双键的改质POSS，并如第1 年做各称探讨，试制覆晶高密度印刷电路板。最后， 综合第1 年及第2 年工作，选择若干最佳化之配方与制程，实做成品，完成本计 划之研发工作。 |
| 官方说明文件#: | NSC95-2221-E009-165 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/89849 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309126&docId=241889 |
| 显示于类别： | Research Plans |
