標題: 氣敏WO3-IrO2二極體研究
Gas-Sensitive Diodes Based on WO/sub 3/-IrO/sub 2/
作者: 趙書琦
Chao Shuchi
交通大學電子物理系
關鍵字: 氣敏二極體;氣體感度;WO3;IrO2;NO2;H2S
公開日期: 2005
摘要: 實驗發現,基於WO3-IrO2 薄膜結構的二極體,可以在未外加電解質的環境 下正常工作,其整流特性和有電解質的元件比較,並不遜色。最近,實驗進一步 發現,當背景空氣中被注入微量有害氣體後(~37 ppm,NO2、NO、H2S、SO2、 CO),在正、反向偏壓下,該元件皆會有「氣敏電性反應」產生,電流呈現大幅 度的變動。當IrO2 側被絕緣epoxy 覆蓋後,這種「氣敏電性反應」尚能照常的發 生,可見主要是WO3 之作用。本計畫擬以系統性更動製程的方式(鍍膜時間、燒 結溫度、RF 濺鍍條件等),觀察WO3 之厚度、結構、顆粒大小等變動,會與 「氣敏反應」產生何種關連性,並據以強化WO3-IrO2 薄膜的氣體感度(gas sensitivity)。另外,本計畫擬製作一批「最佳化」WO3-IrO2「氣敏二極體」, 研究其IV 電性,包括氣體感度(gas sensitivity)、操作溫度區間(operating temperature)、濃度嚮應(dynamic range)、反應速度(switching time)、選擇 性( selectivity) 、電雜訊特性( noise)、可逆性( reversibility) 、再現性 (reproducibility)、可靠性(reliability)、耐用性(durability)、和耗電性 (power consumption)等特性。
官方說明文件#: NSC94-2215-E009-077
URI: http://hdl.handle.net/11536/90014
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1144041&docId=219423
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