標題: 氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究-含奈米微粒之材料的光電特性與應用研究(I)
A Study of Optical-Electronic Properties of Materials Containing Nano-Sized Particles and Their Applications(I)
作者: 謝宗雍
HSIEH TSUNG-EONG
交通大學材料科學與工程系
關鍵字: 零維奈米材料;光記錄媒體;ZnO 白光二極體
公開日期: 2005
摘要: 本計劃研究以上一年期計畫對零維奈米材料之研究成果為基礎,延伸其應用至光記錄 媒體與氧化鋅(ZnO)白光二極體之開發。在光記錄媒體部分,具備高穿透率變化之 奈米硒化鎘(CdSe)與釩氧化物半導體摻雜微晶玻璃(SDG)薄膜之結構與性質將被 最佳化以應用於容積光碟與超解析效應,以無機或有機技術製備零維奈米材料以應用 於新型光開關/遮罩層材料之方法、界面改質、性質最佳化以及含新型材料之光碟製作 與訊號品質分析亦將被研究。氧化鋅白光二極體部分將以能發白光的氧化鋅SDG 薄膜 為基礎,研究內容涵蓋奈米粉體之製作、分散與靶材製作、氧化鋅摻雜技術與磊晶成 長等,所得成果配合白光元件理論之模擬與設計,以完成氧化鋅白光二極體之製作。 期望藉本計畫之執行,能對光資訊產業關鍵性材料與產品技術能有所貢獻,對奈米材 料之應用亦能有所實現。
官方說明文件#: NSC94-2216-E009-026
URI: http://hdl.handle.net/11536/90236
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1145295&docId=219807
Appears in Collections:Research Plans