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dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorCHANG CHUN-YENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:30:42Z-
dc.date.available2014-12-13T10:30:42Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.govdocNSC94-2215-E009-063zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/90380-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1143998&docId=219409en_US
dc.description.abstract多晶矽元件其高載子遷移率不僅可以應用於控制畫素的薄膜電晶體,也能 符合構成電路系統的需求,所以系統面板(System on Panel; SOP)的概念得以實 現。一個完整的系統面板包括輸出輸入單元、邏輯電路、記憶單元、能源單元。 在本計畫中我們主要研究如何在面板上製作非揮發性記憶體,由於非揮發性記憶 體在電源中斷狀況下仍可保存資料,其省電的特性使攜帶式產品更為市場所歡迎 接受。計畫中我們首先研究低溫(<600oC)高品質穿遂氧化層的開發,穿遂氧化層 的品質對於非揮發性記憶體的電性特徵與可靠度影響甚大,我們也將製作兩種非 揮發性記憶體:快閃記憶體與N-ROM。記憶體元件操作特性分析也將被研究,如 熱電子寫入後起始電壓改變量,記憶體元件耐力(endurance),記憶體元件的保存 時間(retention time)、元件操作寫入/抹除(write/erase)速度之萃取,並探討 閘極穿遂氧化層相關製程條件對元件特性的影響。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject系統面板zh_TW
dc.subject非揮發性記憶體zh_TW
dc.subject低溫zh_TW
dc.title系統面板非揮發性記憶體之製作(II)zh_TW
dc.titleFabrication of Nonvolatile Memory for System on Panel (II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子工程系zh_TW
顯示於類別:研究計畫