Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 郭治群 | en_US |
dc.contributor.author | Guo Jyh-Chyurn | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:30:48Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:30:48Z | - |
dc.date.issued | 2005 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC94-2215-E009-050 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/90456 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1143954&docId=219397 | en_US |
dc.description.abstract | 奈米CMOS 元件速度之精進,其fT 與fmax 已超越100GHz 之目標。但是矽基板能 量損耗之問題,不易克服,已成為矽單晶片RF CMOS 電路研發之絆腳石。矽基板能 量損耗乃是射頻被動元件品質常數衰退,RF CMOS 元件雜訊,以及矽基板雜訊之來源 與主因。因此,矽基板能量損耗物理機制之探討與模型之建立對於RF CMOS 元件與 電路之最佳化設計以達低耗功率,低雜訊之目標,乃是一關鍵技術。本計畫針對此一 需求,訂立的目標,乃是要開發一套完整而具有物理意義之 」矽基板能量損耗模型」並 建構於原有的CMOS 元件模型上以改善高頻電路模擬之準確性並確保低耗功率,低雜 訊電路設計之成功。 本計畫之核心為一簡而完備的元件物理模型,能夠正確地模擬並預測高頻與類比元 件之特性,其準確性將以130 奈米與90 奈米製程之主動與被動元件來作驗證,其操作 頻率可高達數10GHz。此奈米CMOS 元件模型具備五個主要特點: (1) 矽基板能量損耗模型為電阻、電容與電感之組合以準確預測在寬頻操作下之特性, 同時可模擬佈局參數與絕緣技術變異之影響。 (2) 奈米CMOS元件雜訊物理機制之研究與模型之建立─其中主要機制包括汲極電流雜 訊與矽基板偶合效應,閘極電阻雜訊與閘/汲極偶合效應。主要模型架構為four region 雜訊模型,包括flicker noise、white noise、substrate coupling noise、gate thermal noise 等。 (3) 閘極電容模型之改善:可正確模擬元件結構與佈局參數對fringing 電容之影響並改善 Non-quasi-static 效應之準確性,此外,surface potential 模型之研究與應用可改善 偏壓效應之準確性,對於射頻與類比電路設計與最佳化為關鍵之一。 (4) 核心奈米元件模型─架構於奈米元件物理之理論基礎以正確模擬量子穿隧效應等, 藉以預測漏電流產生之功率損耗。 (5)Mobility 模型之改善─應力效應與佈局參數等影響隨著元件微縮至奈米級而日益顯 著,對於gm、fT、NF(noise figure)等高頻元件參數有極大影響。 本計畫預期達到之成果為(1)建立射頻元件量測、分析、參數粹取與模擬之研究環境與 技術。(2)設計新的元件測試鍵並建立佈局的環境與技術能力。(3)建立一套完整的高頻 元件模型以正確預測矽基板之能量損耗與雜訊。(4)創新之發明與專利化。(5)新的物理 機制與模型建立與國際學術論文之發表。(6)博士班人才之培育以補射頻CMOS 技術領 域人才之不足。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 射頻 奈米CMOS 技術 | zh_TW |
dc.subject | 矽基板能量損耗 | zh_TW |
dc.subject | 功率 | zh_TW |
dc.subject | 雜訊 | zh_TW |
dc.title | 奈米CMOS之前瞻射頻類比電路設計-子計畫一:奈米CMOS高頻與類比元件模型研發(I) | zh_TW |
dc.title | Nanoscale CMOS RF and Analog Device Modeling(I) | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學電子工程系 | zh_TW |
Appears in Collections: | Research Plans |