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dc.contributor.author曲新生en_US
dc.contributor.authorCHU, HSIN-SENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:30:49Z-
dc.date.available2014-12-13T10:30:49Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.govdocNSC94-2212-E009-026zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/90470-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1129156&docId=215090en_US
dc.description.abstract隨著科技的進步使得固態元件的尺寸進入了奈米世界,雖然有效地提 升元件運轉速度、並降低製造成本,但元件的高密度聚集卻產生了大量的 熱,因此散熱能力成為確保電子元件能安全運轉的重要指標。而由過去研 究指出,以傳統傅立葉熱傳導定律模擬微尺度下的熱傳問題,常有高估的 現象,導致散熱效果不如預期,因此對於微觀熱傳機制的瞭解就變得非常 重要。 另一方面,微觀尺度下的熱物理性質受到尺寸效應的影響,出現大幅 度的改變。當薄膜厚度接近於聲子平均自由徑時,其等效熱傳導係數隨著 厚度的縮小而明顯降低。如低維度半導體材料(超晶格結構、超晶格奈米 線)的熱傳導係數低於其巨觀值一至兩個數量級,使得其在熱電方面有極 大的應用價值。 本計畫為二年期計畫,目的在建立一套微觀熱傳理論模式,模擬低維 度半導體材料的熱傳行為,確實掌握其熱物理性質。第一年將從聲子輻射 熱傳模式出發,分析幾何結構、尺寸效應及界面熱阻對低維度半導體材料 熱物理性質之影響;第二年進一步應用不同的界面理論(如聲異理論模式、 散異理論模式及散射聲異理論模式等)處理界面問題,並和實驗結果比較, 找出不同界面理論適用的範圍。另外,分析超晶格結構中摻雜不均勻的量 子點對其熱傳行為之影響。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title尺寸效應及界面熱阻對低維度超晶格材料熱傳影響之研究(I)zh_TW
dc.titleEffects of Size and Interface Thermal Resistance on the Heat Transfer of Low-Dimensional Superlattice Materials(I)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學機械工程系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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  1. 942212E009026.PDF

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