標題: | 鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進 Ge NMOSFET Improvement by Lowering Fermi-Level Pinning and Interface Reaction |
作者: | 荊鳳德 CHIN ALBERT 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 |
公開日期: | 2013 |
官方說明文件#: | NSC102-2221-E009-100-MY3 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/90630 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3098333&docId=418449 |
Appears in Collections: | Research Plans |