具有形變通道之互補式金氧半元件製作與分析

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	黃調元	en_US
dc.contributor.author	TIAO-YUANHUANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:31:30Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:31:30Z	-
dc.date.issued	2004	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC93-2215-E009-033	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/90988	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026694&docId=195181	en_US
dc.description.abstract	本計畫將製作具有形變矽、形變矽鍺表面通道之金氧半場效電晶體於矽鍺虛擬基板上。伸張形變矽可提高電子與電洞移動率，壓縮形變矽鍺可提高電洞移動率，本實驗將探討載子於不同晶向(100)、(110)與通道方向上<100>、<110>行進，形變對載子移動率的作用；此外，當形變通道厚度縮減後所遇到的鍺層間擴散、額外的合金散射、界面密度的增加等因素亦探討之；最後，高溫引致的形變釋放、矽鍺金屬矽化反應、矽鍺內摻質擴散率的改變、電性上的自動加熱效應、負偏壓溫度不穩定性等等製程與分析問題與載子移動率的關係，亦涵蓋在計畫的研究內。	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	形變矽	zh_TW
dc.subject	形變矽鍺	zh_TW
dc.subject	矽鍺虛擬基板	zh_TW
dc.subject	合金散射	zh_TW
dc.subject	負偏壓溫度不穩定性	zh_TW
dc.title	具有形變通道之互補式金氧半元件製作與分析	zh_TW
dc.title	Fabrication and Characterization of CMOS Devices with Strained Channel	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
Appears in Collections:	Research Plans

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