標題: | 系統面板關鍵技術之開發---子計畫三:系統面板非揮發性記憶體之製作研究(I) Fabricaton of Nonvolatile Memory for System on Panel(I) |
作者: | 張俊彥 CHANG CHUN-YEN 交通大學電子工程系 |
公開日期: | 2004 |
摘要: | 多晶矽元件其高載子遷移率不僅可以應用於控制畫素的薄膜電晶體,也能符合構成 電路系統的需求,所以系統面板(System on Panel; SOP)的概念得以實現。一個完整的 系統面板包括輸出輸入單元、邏輯電路、記憶單元、能源單元。在本計畫中我們主要研 究如何在面板上製作非揮發性記憶體,由於非揮發性記憶體在電源中斷狀況下仍可保存 資料,其省電的特性使攜帶式產品更為市場所歡迎接受。計畫中我們首先研究低溫 (<600oC)高品質穿遂氧化層的開發,穿遂氧化層的品質對於非揮發性記憶體的電性特徵 與可靠度影響甚大,我們也將製作兩種非揮發性記憶體:快閃記憶體與N-ROM。記憶體元 件操作特性分析也將被研究,如熱電子寫入後起始電壓改變量,記憶體元件耐力 (endurance),記憶體元件的retention time、元件操作寫入/抹除(write/erase)速度之 萃取,並探討閘極穿遂氧化層相關製程條件對元件特性的影響。 |
官方說明文件#: | NSC93-2215-E009-047 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/91422 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026741&docId=195195 |
顯示於類別: | 研究計畫 |