高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	莊紹勳	en_US
dc.contributor.author	Chung Steve S	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:33:04Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:33:04Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC92-2215-E009-059	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/91858	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873536&docId=167355	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)	zh_TW
dc.title	Key Reliability Issues and Interface Characterization Techniques for High-K Nano-CMOS Devices (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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