學研合作計畫---次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台(III)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	荊鳳德	en_US
dc.contributor.author	CHIN ALBERT	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:33:08Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:33:08Z	-
dc.date.issued	2013	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC102-2120-M009-002	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/91892	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3084858&docId=414572	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	學研合作計畫---次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台(III)	zh_TW
dc.title	Sub-22nm Metal-Gate/High-Κ CMOS and Embedded Memory Platform	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫