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dc.contributor.author汪大暉en_US
dc.contributor.authorWANG TAHUIen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:33:38Z-
dc.date.available2014-12-13T10:33:38Z-
dc.date.issued2003en_US
dc.identifier.govdocNSC92-2215-E009-024zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/92178-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873444&docId=167328en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(II)zh_TW
dc.titleIn-Depth Study of Soft Breakdown Effects in Ultra-Thin Oxide CMOS (II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程學系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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  1. 922215E009024.pdf

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