氮化鎵材料製程開發及元件製作(III)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	王興宗	en_US
dc.contributor.author	WANG SHING CHUNG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:33:53Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:33:53Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC92-2215-E009-015	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92346	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=844033&docId=159937	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	氮化鎵材料製程開發及元件製作(III)	zh_TW
dc.title	GaN-Based Fabrication Process Development and Device Fabrication (III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學光電工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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