超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(I)

标题:	超薄闸极氧化层CMOS元件软崩溃效应研究(I) In-Depth Study of Soft Breakdown Effects in Ultra-Thin Oxide CMOS (I)
作者:	汪大晖 WANG TAHUI 交通大学电子工程系
公开日期:	2002
官方说明文件#:	NSC91-2215-E009-049
URI:	http://hdl.handle.net/11536/92610 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784421&docId=150775
显示于类别：	Research Plans

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APA	汪., & WANG T. (2002). 超薄闸极氧化层CMOS元件软崩溃效应研究(I). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784421&docId=150775.
Bibtex	@article{2002, title={超薄闸极氧化层CMOS元件软崩溃效应研究(I)}, author={汪大晖 and WANG TAHUI}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784421&docId=150775}, year={2002}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/92610?locale=zh_CN&mode=fulllocale%3Den}, }