標題: 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫V:用晶圓接合與溼式蝕刻方式來剝離側向覆蓋生長之氮化鎵磊晶層(I)
Lift off GaN Epitaxy Lateral Overgrowth Layer by Wafer Bonding and Wet Etching Methods (I)
作者: 吳耀銓
YEWCHUNG SERMONWU
交通大學材料科學與工程系
公開日期: 2002
官方說明文件#: NSC91-2216-E009-026
URI: http://hdl.handle.net/11536/93348
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=785516&docId=151057
顯示於類別:研究計畫


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