一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I)

標題:	一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I) Physics, Characterization and Design of Oxide-Nitride-Oxide Flash EEPROM Devices (I)
作者:	汪大暉 WANG TAHUI 國立交通大學電子工程學系
關鍵字:	氮化矽;快閃記憶體;物理特性;電子可抹拭唯讀記憶體;Silicon nitride;Flash memory;Physical characterization;EEPROM
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2215-E009-066
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93431 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665696&docId=126372
顯示於類別：	研究計畫