MOS元件之閘極層介電材料之技術開發與清潔溶液對複晶矽薄膜經化學機械研磨之研發

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	雷添福	en_US
dc.contributor.author	LEI TAN-FU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:35:30Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:35:30Z	-
dc.date.issued	2001	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC90-2215-E009-070	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/93470	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665711&docId=126376	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	閘極介電材料	zh_TW
dc.subject	清潔溶液	zh_TW
dc.subject	多晶矽薄膜	zh_TW
dc.subject	化學機械拋光	zh_TW
dc.subject	金氧半導體元件	zh_TW
dc.subject	Gate dielectric material	en_US
dc.subject	Clean solution	en_US
dc.subject	Poly-silicon film	en_US
dc.subject	Chemical mechanical polishing (CMP)	en_US
dc.subject	MOS device	en_US
dc.title	MOS元件之閘極層介電材料之技術開發與清潔溶液對複晶矽薄膜經化學機械研磨之研發	zh_TW
dc.title	Technology Development on Gate Dielectric for MOS Devices and Cleaning Solutions for Poly-Si Film after CMP	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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