標題: 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫Ⅰ:12吋矽晶圓CVD製程設備的加熱及成長BST薄膜之進氣系統設計與反應爐系統整合(II)
Design of Heating Assembly and Gas Feeding Unit for BST Thin Film Growth and Integration of CVD Reactor System for a 12-inch Single Silicon Wafer (II)
作者: 林清發
LIN TSING-FA
國立交通大學機械工程研究所
關鍵字: 矽晶圓;化學氣相沉積法;薄膜成長;進氣系統;Silicon wafer;Chemical vapor deposition (CVD);Thin film growth;Gas feeding system
公開日期: 2001
官方說明文件#: NSC90-2212-E009-077
URI: http://hdl.handle.net/11536/93517
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=662734&docId=125585
顯示於類別:研究計畫