隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林鵬	en_US
dc.contributor.author	LIN PANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:36:03Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:36:03Z	-
dc.date.issued	2000	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC89-2218-E009-088	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/93728	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=597424&docId=112583	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發(II)	zh_TW
dc.title	Ultra Thin Ta/sub 2/O/sub 5/ Film Capacitor for DRAM(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學材料科學與工程學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

APA	林., & LIN P. (2000). 隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發(II). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=597424&docId=112583.
Bibtex	@article{2000, title={隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發(II)}, author={林鵬 and LIN PANG}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=597424&docId=112583}, year={2000}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/93728?mode=full}, }