8吋晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計劃IV：利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(III)

標題:	8吋晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計劃IV：利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(III) Growth and Characterization of LPCVD Ta/sub 2/O/sub 5/ Thin Films (III)
作者:	曾俊元 TSEUNG-YUENTSENG 交通大學電子工程系
關鍵字:	氧化鉭;低壓化學氣相沈積法;薄膜生長;晶圓;Tantalum oxide;Low pressure chemical vaporization deposition (LPCVD);Thin film growth;Wafer
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2218-E009-004
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94323 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418203&docId=74189
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