介電層之化學機械拋光漿料與製程設計---子計畫III：積體電路製程中介電層薄膜之材料特性與化學機械拋光之研究

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Keywords

化學機械拋光法 , 介電質內薄膜 , 極大型積體電路 , Chemical-mechanical polishing (CMP) , Intern layer dielectrics (ILD) , Ultra large scaling integration (ULSI)

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418291&docId=74210
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94342

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研究計畫;;Research Plans