鐵電記憶體材料與製程技術開發---子計畫IV：鐵電薄膜及其電極材料之電漿蝕刻製程開發(II)

標題:	鐵電記憶體材料與製程技術開發---子計畫IV：鐵電薄膜及其電極材料之電漿蝕刻製程開發(II) Plasma Etch Processing of Ferroelectric Thin Films and Electrode Materials (II)
作者:	江明崇國立交通大學毫微米實驗室
關鍵字:	鐵電薄膜;蝕刻速率;蝕刻輪廓;電漿蝕刻;鉑電極;Ferroelectric film;Etching rate;Etching profile;Plasma etching;Pt electrode
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2216-E317-001
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94389 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=429112&docId=76809
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