製作低溫(450℃)鋁閘極複晶矽薄膜電晶體之相關技術發展---低溫薄膜電晶體之相關薄絕緣層之製備研究(I)

標題:	製作低溫(450℃)鋁閘極複晶矽薄膜電晶體之相關技術發展---低溫薄膜電晶體之相關薄絕緣層之製備研究(I) The Study on Thin Dielectrics Preparation Technology for Low Temperature TFTs (I)
作者:	李崇仁交通大學電子工程系
關鍵字:	複晶矽;薄絕緣層;化學氣相沈積法;電漿加強化學氣相沈積法;快速熱處理;Polysilicon;Thin dielectric;Chemical vapor deposition;Plasma-enhance CVD;Rapid thermal process (RTP)
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2215-E009-054
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94527 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444146&docId=80428
顯示於類別：	研究計畫

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